三星继上月宣布成功开发首款24Gb(3GB)GDDR7 DRAM后，近日** 显示其已推出更高速度的样品版本，速率从原有的28Gbps(型号K4vcf325zc-sc28)进一步提升至32Gbps(K4vcf325zc-sc32)与36Gbps(K4vcf325zc-sc36)。
尽管英伟达计划在GeForce RTX 50 SUPER系列显卡中采用3GB模块尚属公开信息，是否会选用更高频率版本仍未确定，但三星此次提速无疑为下游厂商提供了更丰富的选项。
在技术层面，24Gb GDDR7采用了三星第五代10nm级DRAM工艺，在封装尺寸不变的前提下，存储单元密度提升了50%。
与GDDR6所使用的NRZ/PAM2或GDDR6X的PAM4编码机制不同，GDDR7首次引入了PAM3信号编码机制，进一步优化了数据传输效率。
此外，三星还将多项原本用于移动产品的能效技术引入图形DRAM，包括“时钟控制管理”与“双电压(VDD)设计”，显著降低非必要功耗，使整体能效提升超过30%。为确保高频率运行时的稳定性，GDDR7还采用了电源门控设计，有效抑制电流泄漏。
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